華潤微電子（CR MICRO）パワーデバイスのアプリケーション – インバータ編

パワー半導体は、現代社会のほとんどの分野で活躍しており、 MOSFETは主力の1つである。 家電製品から、産業機器・車載機器まで、現代の電子機器には効率的なパワーMOSFETソリューションが必要です。 本日は中国パワーMOSFET市場のトップメーカーである華潤微電子（CR MICRO）の製品が産業用インバータ分野での応用事例をご紹介します。 

華潤微電子（CR MICRO）について 

CR MICRO は産業機器・クリーンエネルギー分野・車載機器から白物家電まで、幅広く対応可能な製品ラインナップを揃えており、チップ設計、ウエーハ製造、アセンブリ、テストまで一貫製造している中国国内トップクラスの半導体企業であり、2022年売上額は100.6 億元に達成。 

CR MICROのパワーデバイス事業部（PDBG）は1100種類以上のディスクリートデバイス製品を持ち、自主開発されたSGT MOS、SJ MOS、SBD、FRED、IGBTのプロセス及びモジュールとシステム応用技術は中国国内でリードしており、第 3 世代半導体のSiCとGaNも積極的に攻め込んでいる。 

インバータについて 

●インバータは、周波数変換技術とマイクロエレクトロニクス技術を応用し、モータの動作電源の周波数を変化させて交流モータを制御する電力制御装置である。 

●近年、中国のインバータ市場は12～15％の成長率を維持しており、少なくとも今後5年間は10％以上の成長率を維持し、2026年にはインバータの市場規模は1000億元近くに達すると予想されている。 



産業用インバータの代表的なアプリケーション 



インバータの主流構造及びパワー半導体の選び方 

●7.5kw以下のインバータは IGBT単管とモジュールを混合採用し、7.5kw以上はIGBTモジュールを採用する。 

インバータ用パワー半導体推薦 



インバータ用パワー半導体の応用事例 

CRG40T120AK3LDの試験内容： 

ブスバー電圧=400V、負荷抵抗R=20Ω、パルス周波数5.5kHz。リング温度が150℃になった時点、IGBTが2分間動作し、その後8分間隔で連続10サイクル動作した。ヒーディングプレートが直接被試験IGBTを加熱し、デバイス表面の最高温度は約175℃に達したのを推測。 

CRGMP40T120DV2A3の試験内容： 

全負荷試験波形、相電流実効値16.9A 

2倍重負荷試験波形、相電流実効値36.4A